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上證報記者俞立嚴攝
上證報中國證券網訊(記者俞立嚴)6月29日,在浙江瑞安召開的2023國際新能源智能網聯汽車創新生態大會上,中國工程院院士丁榮軍表示,以碳化硅為代表的第三代半導體技術(包括Si-IGBT與SiC二極管相結合的技術)已經開始獲得應用,并具有很大的性能及市場潛力,將在未來十年獲得高達年復合20%以上的快速增長。
丁榮軍指出,在電動汽車的應用驅動、性價比權衡、消費慣性等因素影響下,未來十年Si-IGBT仍將是功率半導體器件的主流,并將與碳化硅功率器件長期并存。
丁榮軍預測,隨著硅基材料逐漸逼近其物理極限,功率半導體將朝著更高的禁帶寬度、熱導率和材料穩定性等方向發展,功率器件技術演進將助力新能源汽車向高性能、充電快、長續航等方向發展。
(文章來源:上海證券報·中國證券網)
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